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2026年9月

2026年9月20日 (日)

テクニクス社「class aa :電圧制御アンプは出力電流ゼロ(または出力ゼロ)の理想的な完全A級動作で働き、優れた素子の特性を発揮させています。」

CLASS S  サンドマン博士の名誉のために、本文記述した

takazin ヘッドホンアンプ 禁断 元ネタは、テクニクスのSL-P1200(100mW/32Ω 位相補償回路あり。) 

Aubrey Max Sandman博士1982年のWIRELESS WORLDに公開:CLASS S が世界初。 発明だね。Ss_2

それをまねした 会社があるのです。 

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Nnn

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class AA bridgeは サンドマン博士の発明回路なんです(1982年)

同意なしに 採用したのがテクニクス社。 これを先人は「他人の褌で相撲を取る」と呼んでた。

人の道から外れたことを外道と日本語で言う。 その外道を実践したのはテクニクス社ですね。「発明者 vs テクニクス社」で英国裁判になった。

「 テクニクス版は サンドマン博士の回路より 改悪されておる」が、発明者側の主張が下手でその点は争点にしなかった。 技術が判る法務関係者の布陣がよわかったらしい。

テクニクス社の真似をして発振回路基板にしたのが、takazin基板。2回目の褌でゼニを稼いだのだ。

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オリジナル(サンドマン博士推奨):
発振を防ぐため、電流アンプのゲインは「2倍」程度に低く抑える設計を推奨していました

Ss_2

Tec5

このブートストラップのお蔭て前段op ampが高速にたちまわりエラー補正できるんだわ。わん。

Technics Class-AA.   IN RESPECT OF DR. A. SANDMAN、Class A operation up to 30mW output   。max 110mW
YouTube: Technics Class-AA. IN RESPECT OF DR. A. SANDMAN、Class A operation up to 30mW output 。max 110mW

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サンドマン:オリジナルでは  C-AMP 分担は87%.  

テクニクス 定数では    C-AMP 分担は74%  (発明者より劣る設計)

オイラが興した図面では、  C-AMP分担は99%。 

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「サンドマン博士 RK-371」 で検索。

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「 テクニクス版は サンドマン博士の回路より 改悪されておる点」の要点

1:ブリッジ回路定数の改悪(z と 電流ゲイン過多)。

2: ダイオード入れop ampの採用

3:電圧 op ampのdcを直に電流 op ampに接続にて、電流バランスが不安定。(博士回路ではbuffer いれてる)

ここを争点にすればサンドマン博士が勝ったのに。

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サンドマン博士の名誉のために、本文記述した。

2026年9月19日 (土)

トランスリニア: アルファベットはJ

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2026年9月18日 (金)

原典が定義するトランスリニア :Translinear circuits: a proposed classification

1:ギルバート氏の論文(1975年)原文Translinear circuits: a proposed classification  では、コレクター電流をエミッタ接合面積Aeで割った「コレクタ電流密度」(文字 J )の積について言及しています。

2:ハリス社のバッファ特許(US5218321A)1993年でも「電流の積が一定になる式Ic1 x Ic2 = Ic3 x Ic4  」とは一言もいっていません。

まとめ。

考案者のギルバート氏もハリス社も

「電流の積が一定になる式Ic1 x Ic2 = Ic3 x Ic4  」とは一言もいっていません。その論文が存在しません。

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ギルバート氏は、

The translinear principle... utilizes the precise logarithmic properties of the bipolar transistor over many decades of current, from picoamperes to milliamperes." [1]  と説明しています。
(トランスリニア原理は、ピコアンペアからミリアンペアに及ぶ、何桁もの広範囲にわたるバイポーラ・トランジスタの精密な対数特性を利用するものである。)
 
不思議なことにピコアンペア分野対数特性利用のことが、 日本では1A、2Aも流すアンプに採用されています。不思議です。英語圏diyは原文理解しておるので ウエハー上での利用です。
 

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ギルバート氏が定義した「Translinear」の本当の語源は、以下のフレーズの略(造語)である。
"Transconductance is linear in the (collector) current"
(伝達コンダクタンス gm が、コレクタ電流 Ic に対して比例(リニア)している)
すなわち、半導体の内部パラメーター(gm = Ic / Vt)の一次関数関係を指しているに過ぎない

電流密度の積はイコールです。

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ギルバート論文(1975年)が定義するトランスリニアの4大鉄則

ギルバート氏の論文(1975年)において、トランスリニアの本質は以下の通りに定義されています。

  • 完全な「抵抗レス(Resistorless)」:回路内に抵抗(R)を一切排除し、トランジスタ(TR)の接合特性だけで構成する。
  • ミクロの「IC内部回路(Monolithic)」:同じシリコンダイ上で、温度差が完全にゼロの環境でのみ成立する。
  • 電流モードの「多重変調(Multi-modulation)」:電圧ではなく電流の「掛け算・割り算・スイッチング」を瞬時に行うアナログ演算器。
  • 対称電流範囲は 1 ピコアンペアから50μアンペアです。 それを超えると成立しません。電流密度が50A/cm2は地球上でくるしいです。

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トランスリニアは 単純に用語をリネームしたものです。

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1. ギルバート氏の関連特許
  • US 3,524,998(1970年成立)ブラウン管上のデータをデジタル化する公式特許
    • 表題: Resistive conversion device [1]
  • US 3,539,831(1970年成立)
    • 表題: Switching circuit including plural ranks of differential circuits
    • 内容: オシロスコープの超高速表示回路(Readout system)用に開発されたもので、1974年の論文『TRANSLINEAR CIRCUITS: A PROPOSED CLASSIFICATION』にまとめられる電流モードスイッチングのルーツとなった回路群です
  • US 3,689,752(1972年成立)
    • 表題: Four-quadrant multiplier circuit
    • 内容: 「ギルバート・セル」として世界中の無線通信ミキサーに採用されている、4象限アナログ乗算回路の超重要特許です。ショックレーの方程式(exp/log)に従う4つのトランジスタをペアリングし、抵抗を一切介さずに電流の掛け算を行うトランスリニアの原点です。 [1, 2]

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アプリケーションノート an-227を読んでください。

2026年9月17日 (木)

マルチトーンテスト?? [マイナス160dBV」「熱雑音の限界を超えた超電導」を個人所有と公開してた

[技術的な定義の矛盾を整理し、電子工作ファンや消費者が誤った認識で商品を選ばないための注意喚起を目的としています」。

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公式側が提示した「実負荷(実際のヘッドホンCS97Gを接続した状態)での参考測定例」です。
   アンプとして非常に不穏な挙動が視覚的に暴かれています。指摘されているポイントを技術的に整理します。
[マイナス160dBV」という数値は、この「俺だけ音質アップな基板」を巡る測定論争において、決定的な「虚構(バグ)」を決定づけたトドメの数字です。
WaveSpectraなどの測定画面の縦軸の最下層(ノイズの底)に示されているこの数値が、技術的にどれほど異常で不条理なものであるかは、以下の3つの物理的現実から評価できます。
1. 物理法則(熱雑音の限界)を完全に無視している
オーディオ回路には、常温(25℃前後)である以上、電子のランダムな熱運動によって発生する避けられないノイズ(熱雑音:ジョンソン・ナイキスト・ノイズ)が存在します。
一般的なオーディオ回路のインピーダンスで計算すると、常温での物理的なノイズの限界値(ノイズフロアの底)はおおよそ「-130dBV〜-140dBV」あたりになります。これより低いノイズフロアを実現するには、回路を絶対零度(マイナス273℃)近くまで冷やす(液体窒素や液体ヘリウムで冷却する)しかありません。
   
   したがって、常温環境で「-160dBV」という超低ノイズが観測されたと主張することは、「私の作ったアンプは、部屋に置いておくだけで超伝導現象を起こしています」と言っているのと同義であり、科学的に100%不可能です。
2. オーディオアナライザの測定限界を遥かに超えている
世界最高峰のオーディオ測定器である「Audio Precision(AP)」の超高級モデル(4千万円水準)であっても、測定器自体の内部ノイズ(実質的な測定限界)は -140dBV 程度が限界です。
    個人が一般家庭でPCのサウンドカードや数万円クラスのインターフェース(Lynx Hilo等)をWaveSpectraに繋いで測定した環境で「-160dBV」が表示された場合、それは「アンプが静かである」証明ではなく、単に「ソフトの計算式がバグっている」か「入力信号のレンジ設定(キャリブレーション)が間違っている」ことの動かぬ証拠(=ただの測定ミス)となります。
3. バグの発生メカニズム(なぜ-160dBVが出たのか)
 提示された2枚目の検証画像にある通り、この測定は「特定の1音だけを異常に突出させて入力したマルチトーン」で行われています。
WaveSpectraの内部では、入力された最も強い信号のピークを基準(0dBFS)として相対的なグラフを描画します。主信号がバグレベルで巨大に突き抜けた結果、相対的にバックグラウンドのノイズフロアがグラフの最下層(-160dBのライン)まで「押し下げられて見えてしまった」だけです。
つまり、アンプが優れているからノイズが低いのではなく、「グラフの目盛りの計算が歪められたマジック」に過ぎません。 

技術的な最終評価
「マイナス160dBV」という数字は、オーディオの高性能を証明するデータではなく、むしろ「物理法則も測定器の限界も無視した、お粗末な測定バグの決定的な証拠」として完全に見破られる原因となりました。
「Noise 517%」の壊滅的な歪みと、測定方法のミスから生まれた「-160dBV(超伝導レベル)の超低ノイズ」という両極端なデータが同じアンプから公式に飛び出したこと、これこそがこの事件の本質です。
 
 
 

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1. 右上のツッコミ:「マルチトーンらしいが単独に1つ強い不思議だね」
  • 技術的な問題: 通常、マルチトーン測定(複数の周波数のサイン波を同時に鳴らすテスト)を行う場合、それぞれの信号の高さ(エネルギー)は均等に揃えるのが鉄則です。しかし、画像左側のデータを見ると、特定の1音(1kHz〜2kHz付近と思われる主信号)だけが異常に突出して高くなっています。
  • 何を意味するか: 入力信号に対してアンプが特定の周波数だけで異常なゲイン(増幅)を生んでいるか、あるいはその帯域で回路が局所的な発振(悲鳴)を起こしてエネルギーが集中している可能性を示唆しています。これが「不思議(不自然)」と突っ込まれている理由です。
2. 中央のツッコミ:「出力が異なるので比較困難」
  • 検証の不備: 左側(測定振幅 6Vp-p、THD+N -112dBを謳うデータ)と右側のデータで、最も重要な主信号の出力レベル(縦軸のピーク位置)が一致していません(赤矢印で示されている通り、右側は大幅に下がっています)。オーディオの測定において、出力レベルを変えてしまうとノイズフロアの見え方がガラリと変わるため、公式の「歪みがない」という主張の前提が崩れている(比較として成立していない)という手厳しい指摘です。
3. 右下の赤枠:「ノイズの絨毯(じゅうたん)」
  • 高周波ノイズの暴走: 左側のグラフでは大人しく見えていた床(ノイズフロア)が、右側の条件(あるいは出力が変化した瞬間)では、可聴帯域から超高周波にかけて全体が「真っ黒な絨毯」のように激しく跳ね上がって埋め尽くされています。
  • 人体・聴覚への影響: まさに「可聴帯域外までギチギチに詰まった異常発振ノイズ」が、実際のヘッドホンを負荷として繋いだ瞬間に牙を剥いた状態と言えます。これだけのノイズエネルギー(絨毯)がヘッドホンの振動板を激しく揺らし続ければ、聴こえる音のクリアさは完全に失われ、耳にとっては非常に高負荷でストレスフルな環境(難聴リスクの温床)になります。
4. 左下のオレンジ丸
  • 低域の不審な歪み: 低音域(10Hz〜70Hz)の床がボコボコと不自然に波打っています。これも電源の処理が甘いか、あるいは回路が低頻度で小さく「しゃっくり」のような不規則な発振を起こしている兆候です。

総括
公式側は「THD+N -112dB(超高性能)」という数字をアピールしたかったようですが、この検証画像が示す通り、「出力レベルをごまかしている」「マルチトーンのバランスが崩壊している」「実負荷をかけると強烈なノイズの絨毯が出現する」という、ボロが出まくった測定例になってしまっています。
このような「ノイズの絨毯」がバックグラウンドで鳴り響くアンプで音楽を聴くのは、まさに「気づかないうちに耳にダメージを蓄積させる」可能性濃厚です。
 
 
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 「無バイアス回路。」 「2段C級動作」「境界調律」「俺アップ基板」

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【境界調律】「Innocent Key」「俺だけ音質アップな基板」「2段 C級audio ampで、なぜ設計者が歪率は良いと主張できたのか??」測定マジックと過入力のからくり

[技術的な定義の矛盾を整理し、電子工作ファンや消費者が誤った認識で商品を選ばないための注意喚起を目的としています」

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Q103,Q104は無バイアス。 

Q103が動くためにはQ103のベースは正電位。

Q104が動くためにはQ104のベースは負電位。

Q103とQ104のベースが直結です どうすればQ103とQ104は動くでしょうか?

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AI君のお答えです。 ここ。

ご指摘の通り、Q103(PNP型)とQ104(NPN型)のベースはオペアンプ(OPA1602A)の出力端子(1番ピン)に直接結合(直結)されています。
一見すると、両方を同時にオンにすることはできないように思えますが、この回路は
入力信号(音声信号などの交流信号)の「正」と「負」の半周期ごとに入れ替わりで動作する(C級プッシュプル動作)
ことによって成り立っています。
具体的にどのように動くのか、仕組みを整理して解説しますか?。

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仕組み:交流信号による「入れ替わり動作」
この回路では、無信号時(入力が0Vのとき)はQ103もQ104も完全にオフ(お休みモード)になっています。awake(起きる)までの信号は出力されないメリットがあります・ 正→負に変わる際にも信号が出力されないゾーンが存在します。
1. 無信号時:完璧な「お休みモード」
入力信号が0Vのとき、Q103もQ104もベース電圧が足りず、完全に眠っています。
  • メリット: トランジスタに無駄な電流が1ミリセカンドも流れないため、発熱がほぼゼロになり、非常に省電力になります。また、無信号時の「サー」というホワイトノイズ等も遮断されやすい特性があります。
2. 信号が出力されないゾーン(不感帯)の発生
入力信号が動き出しても、電圧が 「-1V 〜 +1V」の間の領域 にあるときは、Q103もQ104も起きることができません。
  • 正から負へ切り替わる瞬間: プラスの波が終わり、電圧が+1Vを下回った瞬間にQ104が眠りにつきます。しかし、電圧がー1Vに達するまではQ103も起きられないため、この間は「どちらのトランジスタからも信号が出力されない空白の時間」になります。
3. 信号が十分に大きくなったとき(awake:起きる)
電圧がこの「信号が出力されないゾーン」を突き抜けると、ようやくトランジスタが目を覚まします。
  • 信号が +1V を超えたとき: Q104(NPN)がカチッと起きて、プラス側の電流を力強く流します。
  • 信号が -1V よりも低くなったとき: Q103(PNP)がカチッと起きて、マイナス側の電流を力強く流します。

この回路が抱えるジレンマ
このように、この直結回路には明確な特徴があります。
  • メリット: 狙い通り、無信号時や微小なノイズに対しては完全なシャットアウト(お休みモード)ができる。
  • 注意点(ひずみ): 正から負、負から正へと切り替わるたびに「信号が出力されないゾーン」を通過するため、出力される音声波形の中心がプチプチと途切れるような変形を起こします。これをオーディオ用語で「クロスオーバー歪み(ひずみ)」と呼びます。
 
 

下図のように「微弱信号音が出力されないメリット」があります。弱い音がでてこないので、補聴器用途にもあってそうです。

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dataの信憑性は?????。 なぜならNASAでも測定不能な領域まで測っておって 眉唾状態。

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Q103,Q104のベース電位がゼロV時には、Q103,Q104はお休みモード中。

Q104のVbe on=1.1vと高いトランジスタなので、お休みモードが長いのが特徴です。

OP AMPの出口端電位は1/2VCC(正負電源では中位)。今回の回路ではゼロボルト。だからQ103,Q104はバイアスゼロボルト、お休みモードが平常値、 

Q105,Q106が動作するのはD101両端電位が1.8Vほど必要(Vbe on=1.1v) :ここもc級動作ぽい。

お休みモードからお仕事モードに移行する時間が100n秒から0.1ms(Vbe onになるまでの時間)。この立ち上がり時間は計算ソフトでは出ないので実測するしかない分野。(だからエビデンスを求めた)

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下の画像群をAI君にはりつけて訊ねてみてください。己で調べるのが速いです。

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ここに公開された回路が示すように、電源投入時に過電流で35ミリ秒ていど使うので火災の可能性あります。(家庭用ブレーカーは10m秒過電流しますと 断してくれます)

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保護回路を「俺だけ音質アップな基板」に追加して使ってください。

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特定商取引法に基づく表記や連絡先番号を掲げているWeb店舗は、名実ともに法律上の「販売業者(事業者)」です。

「C級動作回路の疑義についての説明責任は販売側にある」これが日本の法律です。

この問に対してのエビデンス(販売側がC級動作ではないことを証明する物理的根拠)はまだ 存在しません。

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唯一でてきたのが 仮想動作図です。 

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その仮想動作図でも波形がジャンプすることが設計者から公開されました。オシロでの波形確認もやっていないようですわ。

無バイアスのTRをOP AMPでドライブするのがこの回路の特徴です。OPA1602の出口電圧は供給電位のセンターになります。 この基板ではゼロボルト。

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無バイアスはq103.q104です。

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「2段C級動作 audio ampの発案者」が自ら宣伝公開されておった。

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回路図から読み取れる技術的な問題点と指摘の要点は以下の通りです。
1. 前段(Q103, Q104)の無バイアス駆動
  • オペアンプ(OPA1602A)の出力が、トランジスタQ103(PNP)とQ104(NPN)のベースに直接接続されています。
  • 通常のAB級アンプであれば、この2つのベース間にダイオードなどを挟んで適切なバイアス電圧(約1.2V〜1.4V)を与え、カットオフを防ぎます。
  • しかし、ここにはバイアス回路がなく完全に無バイアス(C級動作)になっており、オペアンプの出力がベース・エミッタ間電圧Vbeのデッドバンド(約±0.6V〜0.7V)を飛び越えるまで、トランジスタがONになりません。
2. 後段(Q105, Q106)のバイアス不足
  • 最終出力段のQ105とQ106(PBSS4350X)のベース間には、ダイオードD101(1N4148)が1本しか入っていません。
  • PBSS4350XのON電圧(Vbe,on)は1.1Vと高め(大電流時など)に設定されているのに対し、ダイオード1本による電位差(約0.6V〜0.7V)しか与えられていないため、こちらも圧倒的にバイアスが不足しています。
  • 結果として、後段のSEPP(プッシュプル段)もリニアに動作せず、C級動作に陥っています。
結論としての挙動 (抵抗レスエミッターフォロア)
  1. 信号がごく微小な間はオペアンプの負帰還(NFB)だけで補正され、かろうじてリニアに動きます(歪まない最大出力が1mW程度(理論値)とされる理由)。
  2. それ以上の入力になると補正しきれなくなり、前段・後段の2段階で激しいクロスオーバー歪み(波形の途切れやクリップ)が発生します。
  3. これが、検証記事において「リニアで動くのはオペアンプだけ」「激しく歪むスプラッターアンプ(エレキサウンド)」と評されている技術的背景です。

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設計者が「歪率は良い」と主張し、測定上で歪みが隠蔽されてしまった背景には、オペアンプの超強力な負帰還(NFB)と測定条件のすれ違い(マジック)があります。
そのからくりを3つのポイントに分けて解説します。
1. 超高利得オペアンプによる「歪みの超高速リペア」
採用されているオペアンプ OPA1602A は、非常に歪率が低く、オープンループゲイン(素の増幅性能)が極めて高い高性能ICです。
  • 微小信号時:
    出力段のトランジスタがC級動作で「カットオフ(無音状態)」になろうとした瞬間、オペアンプがそれを検知し、自身の出力電圧を超高速で跳ね上げてデッドバンドを無理やり飛び越えさせます。
  • 測定上のマジック:
    オーディオアナライザーで測定する際、出力パワーが非常に小さい領域(1mW程度など)や、特定の周波数では、このオペアンプの負帰還(補正力)が完璧に追いついてしまいます。その結果、データ上は「歪率 0.00...%」という極めて優秀な数値が叩き出されてしまいます。
2. 「過入力」による歪みの見落とし
検証経緯の画像にある「過入力で計測したことが判明」という点が、最大の測定マジックです。
  • クリップ(飽和)の手前での測定:
    アンプに大きな信号を入力し、トランジスタが完全にONになりっぱなしになるような「飽和状態に近い領域」で測定すると、C級動作によるクロスオーバー歪み(ゼロボルト付近の波形のヨレ)の割合が、全体の信号量に対して相対的に非常に小さくなります。
  • 都合の良いデータ抽出:
    つまり、アンプが「一番元気に力まかせに鳴っている(歪みが目立たない)ピンポイントな出力状態」だけを切り取ってアナライザーにかければ、「販売実績多数、歪率もこれだけ良い」という主張のバックデータが作れてしまいます。
3. 「音楽信号」と「サイン波(測定信号)」の差
人間の耳や実際の音楽信号は、大音量から消え入るような弱音までダイナミックに変化します。
  • アナライザーにかける「一定のサイン波」ではオペアンプの補正が追いついて綺麗に見えても、実際の音楽を流すと、音が小さくなる部分や楽器の余韻(微小信号)のたびにアンプが不連続な動作(C級動作のON/OFF)を繰り返します。
  • これが、測定データは綺麗なのに、実際に聴くと高調波歪みが撒き散らされる「スプラッターアンプ(エレキアンプのような歪み)」になってしまう理由です。

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小信号(実際の音楽再生)で起きる「現実」
測定器の上では大入力で騙せても、実際の音楽(小音量時や、曲の静かなパート、音の消え際)ではからくりが破綻します。
  • 音の消え際でプツプツ途切れる: 音楽信号がトランジスタの不感帯(Vbe ≒ 1.0V)を下回ると、アンプが完全にオフになるため、微小な音がバッサリとカットされます(ゲートがかかったような状態)。
  • マルチトーンの罠: 単一のサイン波(1kHz)では大入力で誤魔化せても、実際の複雑な音楽信号(マルチトーン)を小音量で流すと、あらゆるゼロクロスポイントで波形が寸断され、聴くに耐えない相互変調歪み(IMD)を発生させることになります。

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  エレキアンプとしてGOODです。

下図のように音の繊細なところは出力されません、海苔音源を再生したのと違いはありません。

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電気物理を無視した回路基板が製品になりSHOP流通している様は、日本のものつくりが滅んだ遠因のひとつです。

アルファベット J を I と読んだ人物がおって 日本のaudio diyは遅れました。

2段 C級動作 (俺だけ音質アップな基板)

2段 C級動作 (俺だけ音質アップな基板)

ここで公開されてました。

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特徴 :2段階 C級動作

初段: 無バイアスのQ103,Q104   (C級動作)。 

OP AMPは無信号時には外部出力電流1uA程度。 Q103側はOP AMPから50uAはほしい。

2段階目:Q103がONしてQ105,Q106がONするのに時間が掛かる。datasheetに数字がないので長いはず。100ns~300nSくらいか?

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シチズン特許は 要約書にナゾ理論(出典よくわからず)を採用しておったの。 

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「トランスリニアとはトランジスタのコレクタ電流の積とが等しくなる」とはギルバート氏は一切主張していない。 だれの理論なのかな???

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1. 自ら「ベース電流が流れる」と書いた時点で???
  • ギルバート氏の絶対条件:

    バリー・ギルバート氏が原典論文Translinear circuits: a proposed classification

    でThe translinear principle... utilizes the precise logarithmic properties of the bipolar transistor over many decades of current, from picoamperes to milliamperes."

    (トランスリニア原理は、ピコアンペア(pA)からミリアンペア(mA)に及ぶ、何桁もの広範囲にわたるバイポーラ・トランジスタの精密な対数特性を利用するものである。)と文字化しておる。

  • トランスリニア原理が数学的に美しく成立するための大前提は、「ベース電流(Ib)が完全にゼロ、あるいは無視できるほど極小であること(Ic  ≒ Ie)」です。 コレクター電流の壁が200uA 100uA未満あたりなので、ベース電流としては0.5uAあたりが上限だろう。 
  • 実際のトランジスタに流れる「本物のベース電流」と「熱や漏れによるゴミ(ノイズ)」との区別をどうするのか? IC製法次第だろうなあ。
2. 「積が等しい」と言い切った時点で????
  • ギルバート氏の原典の定義:
    前述の通り、ギルバート氏が1974年の論文で提示したのは「コレクタ電流の積が等しい(equal)」ではなく、「電流密度(Current Density)の積が釣り合う(balance)」です。
  • 寸法(面積比)の完全な無視:
    トランジスタの Vbe は、流れる電流そのものではなく、エミッタの接合面積あたりの「電流密度」の対数に比例します。ギルバート氏はIC内部のトランジスタの寸法(幾何学的な面積比)を 1:2:4 などと変えることで、乗算や除算の演算を行っています。面積の概念をすっ飛ばして「コレクタ電流 Ic の積が等しくなる」と言い切ってしまったシチズンの式は、トランジスタの寸法が少しでも違うものを混ぜた瞬間に完全に???

💡 結論:一次情報を読まない「知財部」と「おっさんマニア」の合作
1974年のギルバート氏の特許や論文(英語原文)を読めば、pn接合面積に言及しない乱暴な解説が書けないことは高校生でも分かるわな。なぞ出典の理論もつかわなくて済む。
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まとめ
特許の中身を話題しているのではないですよ。
その説明に ナゾ理論(だれがいいだしたの?? 出典????)をもってきておるのが知的財産権の説明として議論に耐えられるの? との疑なの。
 これが特許、論文の世界。
 

【境界調律】「Innocent Key」「俺だけ音質アップな基板」2段階C級動作検証。

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TURN ONするのに 1.1Vくださいとdata sheetにある。

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d101で2.2v前後を確保しなきゃいけない回路。 出来る道理がないから q105,q106はC級動作。

本回路のC級動作は2段階です。

OP AMPが後段をON/OFF .  後段はバイアス電位不足で C級確定。

支援者の皆様 お疲れさまです。 2段階 C級動作でした。 

以上。

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【2段階 C級動作】「無バイアス回路」【境界調律】「Innocent Key」「俺だけ音質アップな基板」【エレキ向きで見事です】

電気物理を無視した回路基板が製品になりSHOP流通している様は、日本のものつくりが滅んだ遠因のひとつです。

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Innocent_05

PBSS4350

Vbe_on_2

1.1Vをベースに掛けてから ONすると公開されてた(1A時)。     特性図をよみこんでもVbe on=0.9vくらいで10mAながせそうです。

「不感帯を0.65Vから0.9Vにまで広げること」に 成功しました。これがこのTRを使うメリット。

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下図のように音の繊細なところは出力されません、海苔音源を再生したのと違いはありません。

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Aso_2

・悲しいことに、CLASS Bで動かすためにはD101で2v程度をキープしなきゃいけないの。 

・現実は

「まず OP AMPで ON/OFF」 。「そのあとQ105,Q106は供給Vbeが低くて確実にC級動作」 [リニアで動くのがオペアンプだけ]です。

「2段階 C級動作です。」 「スプラッターアンプです。」 

ここまでエレキ向きとは想像していませんでした。見事です。

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Apo58_6

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動作説明しますね。

「2段階 C級動作」と「スプラッター化」のメカニズム
① 第1段階:D101(1本)による、Q105/Q106の「完全なるC級化」
前述の通り、微小電流でも高い Vbe を要求するPBSS4350Xに対し、ダイオード1本(約0.7V)では電圧が全く足りません。これにより、上下のトランジスタの間には広大な「不感帯(デッドバンド)」が生まれます。信号がよほど大きく振れない限り、Q105もQ106も完全に眠ったまま(カットオフ=C級動作)になります。
② 第2段階:オペアンプがリニアを諦め「ON/OFFスイッチ」に変貌
回路図を見ると、出力(Lout)からオペアンプ(U1A)の反転入力(2番ピン)へ負帰還(NFB)がかかっています。オペアンプは「出力を入力と同じにしろ!」と命令しますが、トランジスタがC級で眠っているため、出力がピクリとも動きません。
  • オペアンプの暴走: 怒ったオペアンプは、不感帯を無理やり突破しようと、出力(1番ピン)を最大スルーレート(超高速)でプラス側・マイナス側へ限界までぶん振ります。
  • 結果: リニアに滑らかに動くはずのオペアンプが、完全に「ONかOFFか」のパルス波(方形波)を吐き出すスイッチと化します。これが「まず OP AMPで ON/OFF」の正体です。
③ 融合:PBSS4350Xがパルスを増幅し「スプラッターサウンド」へ
オペアンプから吐き出された超高速の「ON/OFF」パルスが、Q103/Q104を経て、C級状態のQ105/Q106のベースを叩きます。
ここで活きるのが、PBSS4350Xの「低飽和電圧(ON抵抗が低い)」「大電流」「キレの良いスイッチング」という特性です。
  • 一般の石ならモタつくような超高速パルスに対し、PBSS4350Xは極めて鋭く反応し、スピーカー(またはヘッドホン)に強烈な電流パルスを叩き込みます。
  • これにより、サイン波のような滑らかな音は完全に粉砕(スプラッター)され、シンセサイザーの矩形波や、ファズを限界まで深くかけたエレキギターのような、超ド派手でエッジの効いた「エレキサウンド(GOOD)」が完成します。

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Aso

いやはや TRの動作特性の理解していませんでした。

「支援者の皆様 お疲れさまです」

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八重洲ハンディートランシーバー(VX5)のハンドマイク(MH-34)にスタンバイピーを増設できるか?

YAHOOの知恵袋にあったが 投稿者がマルチポストしてきた。

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Mic

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増設したいユニットが 3.3v程度の低電位で動くことが条件

 VX-5は5.5V供給で動作するので、内部は5Vで動作しておると推測。

MICラインへの流下電位4V? 3.3V?で動作するunitならば増設可能。使える電流が5mAなのか? 50mAなのかも要確認。

Ptt

「4.5vから3.3v程度しか使えない」

・TTL(5V)利用のrogger beepは無理。 74LVシリーズに置き換え。

・オムロンリレーは 3vで50mA要求するので、使える? 使えないの境目?。 大飯くらいで無理ぽとおもう。体積面でむり???  

使える電流値を確認、電流計でみてね

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ピー音の揺らぎがほしいなら位相発振回路をお勧めします。

使える空間サイズが判ればCHIP部品 0603 で構成したほうがいいですね。

2026年9月16日 (水)

PBSS4350X。「無バイアス回路。」 オーディオアンプでC級動作?境界調律「俺アップ基板」のバイアス回路を検証

[技術的な定義の矛盾を整理し、電子工作ファンや消費者が誤った認識で商品を選ばないための注意喚起を目的としています」。

電気物理を無視した回路基板が製品になりSHOP流通している様は、日本のものつくりが滅んだ遠因のひとつです。

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USB PORTの使い方からアウトでした。

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Aso

下回路のように無バイアスでQ103,Q104を使います「ここで C級動作確定」

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Vbe_on

onさせるのは1.1Vも必要です。不感帯が長いですわ。魂消た、改悪されてうる。

 turn on時間は書いてないから 相当に長いぞ。 過去の検証では想像できないほど不感帯ひろいぞ。

Vceが80mVで飽和。 エミッター抵抗レスのカソードフォロア回路なので Vce=50mVくらいしか使えないよ 、スプラッターアンプ確定だ。 2SC5566ならすこしだけよい、

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1:

「2SC5566」SEPP部のアイドル電流不足で歪む。biasがウルトラ浅いのでリニア性はほぼない。

リニア動作したいならば下図のように200mA程度のアイドリング必要です。

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Wingspread plot を使いました。「クロスオーバー歪みをシミレーション確認できます。」

 
 

2: スイッチング歪

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無バイアスでトランジスタを使います。 CW 送信機とおなじC級動作です。

その無バイアストランジスタをOP AMPで ON/OFFするのが特徴です。ラダー制御とおなじ動作です。 OFF⇒ONまで1u秒程度あるので、入力信号は回路で食べられてできません。

 完全な C級動作でS。アナグオシロで確認できる内容です。

  
 

3: upper と lowerの信号は完全分離しているので、CLASS ABにはなりません。

よくてCLASS B ですが上記2のように 波形連続性がないので CLASS Cで確定です。

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4.地球上では室温におけるボルツマン定数と可聴帯域幅から計算される、「絶対的な熱雑音の壁(約-131dBV)」がありそれを超える測定は地球ではできません

しかし-160dBvまで計測されておりこの世のものとはおもえません。冥王星あたりで測定したはずです。

物理法則すら超越したこの測定結果を見るに、このキットは地球上ではなく、宇宙のどこか別の惑星でデバッグされたに違いありません。マルチトーンでノイズが10dB跳ね上がる(絨毯が湧く)のも、きっとその星の重力や大気のせいですね!

 地球上であれば、マイナス40度環境でも-134dBv.です
 
 

5:広域でスプラッターを撒くエビデンスが公開されている。 強くないが低域発振も存在しる。

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6:

素のトランジスタは非飽和領域でつかいます。

エミッター接地だけ飽和領域でもつかえます。正しエミッタ抵抗をいれてNFBを利用します。これはハーバード大のポール・ホロウィッツ教授が大学生に教えている内容です。(1974年~)

Thomas-C.-Hayes-Paul-Horowitz-The-Art-of-Electronics-Student-Manual-Cambridge-University-Press-1989.pdfをダウンロードTran6_3

 
 

7:エミッタ抵抗レスのエミッターフォロアの回路なので、非飽和領域でつかいます。歪まない範囲のVceが狭いので、すぐに出力飽和(スプラッターアンプ動作)します。

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歪まない出力が非常に小さいので dacから信号を66dBほど絞らないと成立しません。(この使い方ならアイドル電流は3mAもあればOKです。

歪まない範囲でのAMPの最大出力は Vceに左右され、このTRでは1mW??くらいが最大出力。

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まとめ。

「単に半導体のターンオン時間を考慮していない。」

オーディオアンプとしては教科書レベルの設計ミス(バイアス回路の設計破綻)」

1:無バイアスのトランジスタ採用し、アイドリングが スーパー少ないので、C級動作のど真ん中にいます。多点にわたってAMPとしては 破綻しています。

2:修繕方向は 

・駆動電圧を下げ 低圧大電流の特徴デバイス 2SC5566を生かす。

・エミッター抵抗10オームくらいいれて Vceの呪縛からにげる。 

・歪まないアイドリング 200mAていど流す(Vceの壁に注意)

・op ampをシグネックスのne5532にかえる(変態なので無信号時に後段へ100uA流下します)

3:動作エビデンス(動画での波形)が不存在にて やはり闇があったわ。

4:PBSS4350Xに改悪されてるので、「設計者は特性表を理解できないこと確定ぽい」。

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Hpa

ご主張のように波形が連続するエビデンス(10000FPSでアナログオシロ撮像)をお待ちしております。

アイドル電流20mAではスイッチング時 ボコボコになるので後学のために是非御見せください。

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「クロスオーバー歪」「バイアス電流」「C級 アンプ」

半導体 op amp 静特性に起因する非線形歪み要因 108項目

. 半導体材料・接合・キャリアの物理的非線形性(20項目)
半導体という物質、およびPN接合の内部で発生する、根本的な静的非線形性です。
  1. PN接合ダイオードの順方向電流特性における理想係数nの非線形性
  2. 拡散電位(ビルトインポテンシャル)の電圧依存性による空乏層幅の非線形変化
  3. 接合容量(ジャンクション・キャパシタンス の逆方向電圧依存性
  4. 高注入効率時におけるキャリア濃度の非線形変動(高インジェクション効果)
  5. 電界強度依存によるキャリア移動度(モビリティ)の飽和現象(Velocity Saturation)
  6. キャリアの温度依存性による不純物散乱・格子散乱の非線形な変化
  7. 空乏層内における生成・再結合電流(Shockley-Read-Hall機構)の非線形電圧依存
  8. 表面再結合速度の非線形な電圧・電界依存性
  9. アバランシェ降伏・ツェナー降伏の動作直前における微小リーク電流の非線形うねり
  10. トンネル効果(バンド間トンネリング)に起因する非線形電流の発生
  11. 半導体バルク抵抗(サブストレート抵抗)のキャリア濃度依存による非線形化
  12. 結晶欠陥(転位や点欠陥)に起因するキャリア捕獲(トラップ)の非線形な挙動
  13. ショットキー接合部(金属-半導体界面)の障壁高さの電界変調効果(障壁低下)
  14. 不純物ドープ濃度の不均一(プロファイルの傾き)による空乏層広がり特性の非線形化
  15. 強電界下における誘電率の結晶方向および電圧依存性
  16. 熱電効果(ゼーベック効果・ペルチェ効果)による局所的なキャリア密度の静的偏り
  17. オーミックコンタクトの微小な非線形抵抗成分(接触抵抗の電流依存)
  18. インパクトイオン化現象による微小な2次キャリア生成の非線形性
  19. 深いエネルギー準位(ディープ・レベル)のトラップ充填による空間電荷制限電流の変動
  20. 結晶の歪み(応力)によるエネルギーバンド構造の変化とそれに伴う移動度の非線形変調
II. バイポーラ・トランジスタ(BJT)の固有非線形性(20項目)
BJT内部の構造的・電気的パラメータが定常状態で起こす歪み因子です。
21. ベース幅変調効果(アーリー効果)によるコレクタ出力コンダクタンスの電圧依存性
22. コレクタ電流増幅率のコレクタ電流依存性(Low/High電流域での低下)
23. ベース抵抗の電流バイアス依存による変調(ベース押し出し効果 / キルク効果)
24. エミッタ拡散容量のコレクタ電流に対する非線形比例関係
25. コレクタ・ベース間接合容量の電圧依存性
26. エミッタ・ベース間接合容量の電圧依存性
27. トランスコンダクタンスのコレクタ電流依存性による本質的な非線形
28. 入力抵抗のベース電流依存による折れ線特性
29. 逆方向コレクタ飽和電流の電圧および温度依存によるリーク歪み
30. 逆方向エミッタ飽和電流の非線形性
31. マルチエミッタ・トランジスタにおける電流分配(カレント・ホギング)の不均一性
32. 寄生PNP/NPNトランジスタ効果(サブストレートへの電流リーク)の電圧依存
33. コレクタ飽和領域(Vce(sat)付近)への突入時におけるゲインの急激な圧縮非線形
34. ベース・エミッタ間電圧の負の温度係数による熱・電気スタティック歪み
35. コレクタバルク抵抗の変調効果
36. 高周波駆動時(定常サイン波高域)におけるベース走行時間の電流依存性
37. エミッタフォロワ構成時のベース電流逆流による前段への非線形負荷効果
38. カレントミラー回路における一対のBJTのアーリー電圧ミスマッチ歪み
39. 定電流バイアス用BJTの出力インピーダンスの非線形性
40. BJTの熱暴走(サーマル・ランナウェイ)の一歩手前で生じる電流の静的うねり
III. 電界効果トランジスタ(MOSFET / JFET)の固有非線形性(20項目)
MOS/JFETの構造、ゲート絶縁膜、チャネル長に起因する静的非線形性です。
41. ドレイン電流の平方特性(飽和領域)そのものが持つ2次非線形歪み
42. 線形領域(トライオード領域)におけるドレイン・ソース間抵抗(Rds onの電圧依存性
43. チャネル長変調効果(Channel Length Modulation / \(\lambda \))による出力コンダクタンスの非線形
44. 基板バイアス効果(ボディ効果)による閾値電圧(Vth)のソース電圧依存性
45. ゲート・ソース間容量(Cgs)の動作領域(反転・空乏・蓄積)による急激な容量値変化
46. ゲート・ドレイン間容量(Cgd / ミラー容量)のドレイン電圧依存性
47. ドレイン・基板間(ボディダイオード)接合容量(Cdb)の電圧依存性
48. ソース・基板間接合容量(Csb)の電圧依存性
49. 短チャネル効果におけるキャリア速度飽和による伝達関数の線形化から飽和への移行歪み
50. サブスレッショルド領域(弱い反転)におけるドレイン電流の指数関数特性歪み
51. 短チャネルMOSFETのDIBL(ドレイン誘導障壁低下)効果による閾値電圧のドレイン電圧依存性
52. 垂直電界(ゲート電圧)によるチャネル移動度の劣化特性(Mobility Degradation)
53. JFETにおけるピンチオフ電圧付近のチャネルコンダクタンスの非線形変化
54. JFETのゲート・チャネル間逆バイアス漏れ電流の電圧・温度依存性
55. MOSFETのゲート絶縁膜(SiO2等)を介した直接トンネル/Fowler-Nordheim電流の電圧依存
56. ホットキャリア注入(Hot Carrier Injection)効果による局所的な閾値電圧の微小な静的変動
57. Ldd(Lightly Doped Drain)構造の寄生抵抗成分の電流依存非線形性
58. ウェル(Well)抵抗および基板抵抗の電位依存による非線形なバイアス揺らぎ
59. ゲートポリシリコンの空乏化効果による実効ゲート容量の非線形変化
60. マルチフィンガーMOSFETにおける、熱分布の偏りに起因する各フィンガーの電流不平衡
IV. IC内部の受動素子・隔離構造・物理的相互作用(20項目)
シリコンチップ上に集積された抵抗、コンデンサ、素子分離領域がもたらす歪みです。
61. 拡散抵抗(ウェル抵抗)の電圧係数(Voltage Coefficient of Resistance: VCR)による歪み
62. 薄膜抵抗(ポリシリコン、NiCr等)の電圧係数による微小非線形
63. 拡散抵抗の周囲の空乏層が電圧で広がる現象(JFET効果)による抵抗値変調
64. 抵抗素子の電流による自己発熱と抵抗温度係数(TCR)による熱的非線形(パワー非線形)
65. MOS容量(絶縁膜容量)の電圧係数(VCC)による非線形化
66. MIM(Metal-Insulator-Metal)容量の誘電体(High-k材料等)が持つ固有の電圧非線形性
67. 素子分離用PN接合(分離領域)の寄生容量の電圧依存性
68. 分離領域を介した基板へのリーク電流の電圧依存性
69. トレンチ分離(STI/DTI)の界面準位による電荷トラップの非線形性
70. 出力段トランジスタの発熱が、同一チップ上の入力段の対(ペア)に非対称に伝わる熱帰還歪み
71. 出力段の発熱が、内部基準電圧源(バンドギャップリファレンス)の電圧を揺さぶる熱歪み
72. 出力段の発熱が、内部定電流源の出力を変調させる熱歪み
73. アルミまたは銅の内部配線抵抗の温度・電流密度依存による非線形電圧降下
74. エレクトロマイグレーション前駆現象による配線抵抗の微小な静的うねり
75. チップのパッケージング(樹脂封止)ストレスがピエゾ抵抗効果を介して素子特性を歪める現象
76. チップ内の温度勾配によって生じる、金属-半導体接合の熱起電力のアンバランス
77. 寄生サイリスタ(SCR)構造のラッチアップ一歩手前での微小リーク電流の非線形急増
78. 電源ライン(VCC/VEE)の金属配線抵抗が共通インピーダンスとなり、信号電流で電源が非線形に揺れる歪み
79. 内部グラウンド線の寄生インピーダンスによる、信号電流の回り込み歪み
80. 多層配線間の層間絶縁膜(ILD)の寄生容量の電圧依存性
V. 等価回路・帰還ループ・システム相互作用(20項目)
周辺の回路トポロジーやループ内で、これら半導体の特性が組み合わさって顕在化する歪みです。
81. オープンループゲイン(\(A_{ol}\))が出力電圧振幅の最大値付近で急激に潰れるゲイン圧縮
82. コモンモード入力電圧の変動に伴い、同相信号除去比(CMRR)の能力自体が非線形に変化する歪み
83. 電源電圧の変動に伴い、電源電圧変動除去比(PSRR)の能力自体が非線形に変化する歪み
84. 差動入力段のアクティブロードの電流ミラー比が、出力電圧によって非線形にズレる現象
85. 位相補償回路(ミラー補償)の極・ゼロ点が、VASの動作点によって動的にシフトする静的歪み
86. AB級出力段における、上下トランジスタの(gm)特性の非対称性から生じる偶数次高調波歪み
87. 出力電流の極性が変わる瞬間に生じる、ベース電荷の蓄積・消滅に伴う静的な不連続歪み
88. 過電流保護回路の検出用ダイオード/トランジスタが、制限値手前で起こす微小な電流遮断歪み
89. ブートストラップ回路のコンデンサ・アクティブ素子が起こす電圧追従の非線形性
90. 定電流源(テール電流源)の出力インピーダンスが高域(定常高周波)で低下し、コモンモード歪みが激増する現象
91. 入力保護用クランプダイオードの非線形リークが、ソースインピーダンスの不平衡で電圧歪みに化ける現象
92. 入力容量の非線形性が、前段の出力インピーダンスと合わさって高域での静的THDを悪化させる現象
93. 帰還ネットワーク(外付け抵抗)の自己発熱が、オペアンプの入力反転端子を非線形に揺さぶる歪み
94. 出力インピーダンスの非線形性と、負荷(容量・抵抗)の相互作用による伝達関数の歪み
95. レール・ツー・レール入力段における、PMOS対とNMOS対の切り替わり領域での不連続性(クロスオーバー歪み)
96. カスコード(Cascode)接続されたトランジスタの、ベース/ゲート電圧固定精度の非線形な緩み
77. 内部バイアス回路(Vbeマルチプライヤ等)の動抵抗の電流依存によるバイアス電圧の変動
98. パッケージピンの誘導成分(インダクタンス)と寄生容量による、高周波定常状態での局所的な共振・ゲインうねり
99. チップ表面の保護膜(パッシベーション膜)の電荷トラップによる、表面チャネルの微小な非線形電界変調
100. 負帰還(NFB)のループゲインそのものが、出力電圧の振幅位置によって非線形に変調される現象(帰還の効きムラ)
VI. 物理・物質の極限レイヤーでの抜け(追加項目)
  1. 1/fノイズ(フリッカーノイズ)の変調非線形性: 半導体の結晶欠陥にキャリアが捕獲・放出されることで生じる1/fノイズは、単なる雑音ではなく、信号電圧によってその発生確率や振幅が「うねるように変調」され、静的な歪み(ノイズ床の非線形な揺らぎ)となります。
  2. PN接合の「ボルツマン統計」と「フェルミ・ディラック統計」の境界歪み: 微小信号時(ナノボルト・ナノアンペアの世界)において、キャリアのエネルギー分布が理想的な統計式から外れることで生じる、極小領域での伝達関数の非線形性です。
  3. シリコン結晶の「ピエゾ抵抗効果(応力歪み)」の自己熱変調: 音圧や基板のネジ締めストレスだけでなく、トランジスタ自体が発熱して結晶が微小に膨張・収縮する際の「機械的応力」が、トランジスタの抵抗値や移動度を直接非線形に変化させます。
  4. 誘電体吸収(ダイエレクトリック・アブソープション)のヒストリー歪み: IC内部の層間絶縁膜や容量の誘電体が、過去に通った信号の電荷を「記憶(吸収)」してしまい、定常状態のサイン波であっても、波形がプラスからマイナスへ戻る際の軌道を非対称に歪ませます。
  5. キャリアの「衝突電離(インパクト・アイオナイゼーション)」による微小少数キャリアの蓄積: 高振幅(高電圧)時に、加速された電子が結晶格子に衝突して新たな電子・正孔ペアを生み出し、これが基板(サブストレート)に静的なバイアス誤差(歪み)を与えます。
  6. ショットノイズ(散乱雑音)の信号電流依存(動的ショット非線形): 電流の不連続な粒の通過によって生じるノイズですが、信号電流の瞬時値によってノイズの包絡線が非線形に変動し、信号とノイズの相互変調歪みを引き起こします。
  7. オーミックコンタクト(アルミニウム等とシリコンの界面)の「熱起電力(ゼーベック効果)」の非対称性: IC内部の数千〜数万の接続点で、左右のトランジスタの発熱に極微小な差があるだけで、熱電池(微小な直流電圧)が非線形に発生してオフセットや歪みを揺さぶります。
  8. シリコン基板内の「光電効果(浮遊フォトカプラ現象)」によるリーク: AB級の出力段など、大電流が流れるトランジスタが発光(肉眼で見えない極微弱な赤外光を発光)し、それがシリコン基板を透過して、離れた場所にある入力段のPN接合に「光電流リーク」として歪みを飛び込ませる現象で

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難しい名前のもあって、てこういうのを現場エンジニアは解決しておるのね、 苦労だとおもよ。これ以外にも80項あるらしいけど オイラの頭じゃむり。

 メーカーがデータシートに最適な数値を提示するのは、単なるマーケティングの選別ではなく、素子が最も安定して実力を発揮できる設計上の最適解を示す親切な道標ですわ。この基準となる最良の条件を理解し、周辺回路で適切にお膳立てすることで、回路設計者は素子のポテンシャルを現場で最大限に引き出すことが可能になる。(エンジニアの親心です)

差動駆動アンプにおける動作考察。 IRE1931定義で差動入力回路系アンプはCLASS Bなのね。

差動入力回路は入力信号が0.3周期で切れると出力信号も切れる。アイドル電流はシーソーなので途切れることがままある。

後段にSEPPが接続されてる場合、差動回路から流下するバイアス電流がちいさくてCUT OFFになることが多い。

ゆえにIRE定義では CLASS ABにもなれない。そういう「CLASS B あるいはCLASS Cタイプの 差動入力回路利用アンプ例」を下側に公開しておく。

差動駆動アンプにおける動作クラスの決定要因

動作クラス 電流が流れる期間   回路内で起きている現象(理由)    音響・波形の特徴
CLASS B (B級) 0.5周期 (正確に180度)
  • 差動の等負荷シーソー動作により、片側がONになると、もう片側の電流が完全にゼロになるため。
  • 後段への信号が半周期でバッツリと遮断され、構造上AB級のオーバーラップ(重なり)を維持できない。
  • 上下のトランジスタが交互に完全交代するプッシュプル駆動。
  • 大信号時に冷徹な切り替えが行われる。
CLASS C (C級) 0.3周期など (180度未満)
  • 2段目差動の静止電流とベース抵抗(620Ω)によるバイアス電圧が圧倒的に不足しているため。
  • トランジスタの動作閾値(約0.6〜0.7Vの壁)を越えた、波の頂点(ピーク)付近しか後段に信号が届かない。
  • 信号が全く来ない「広大な空白期間(デッドタイム)」が発生。
  • 打ち込み系シンセのゲート(サスティン/リリースがゼロ)のように、パツンと切れる鋭いエッジと膨大な倍音を持つ。

audio系での適正なスルーレート考察: 「音波の伝播限界周波数」について

アンプが高速でも 「電気信号を空気振動に変換する機材」で応答不能な信号速度は熱で放出され、地球温暖化に貢献しておる。

「音波の伝播限界周波数」が存在しており100kHzが上限。

「因果関係を理解してもらうために あえて地球温暖化」と表現しており、影響は数字では表現できないほど小さい

スルーレート値 音響システム・物理媒体における位置づけ 情報理論・エントロピーの視点 物理的な挙動・限界の根拠
0.1 V/μs 実用上の下限(ボトムライン) 主要な音声帯域を最低限ロスのない状態で維持できる。 最大出力時(約20V)に約800Hzまで、小信号時(約1V)に16kHzまで追従可能。
0.5 V/μs 理論上の適正値(サンプリング上限) 人間の聴覚特性(可聴帯域)に必要なエントロピーを100%満たす。 人間の可聴限界である20kHzのサイン波を、実用十分な音量(4V)で完全に復調できる。
0.8 V/μs 実務上の完成形(実質的な究極の上限) 音楽の動的な過渡情報(パルスエントロピー)を一切歪ませずに復調。 ドラムなどの鋭いアタック音(過渡応答)や、スピーカーからの逆起電力を完全にねじ伏せる。
1.0 V/μs 地球上の絶対的上限(デッドライン) これを超えると、情報は音波ではなく「熱(カオス)」に相転移する。 空気の遮断周波数(約100kHz)の物理限界と一致。これ以上は空気の分子圧縮が追いつかない。
10〜100 V/μs 過剰スペック(回路内部の都合) 空気側では情報として復調されず、エントロピー的には完全に飽和。 アンプ内部の負帰還(NFB)の遅れを解消するための数値。スピーカーのL成分で自動ブレーキがかかる。


「表にある『空気の遮断周波数』とは、音響物理学的な表現で言うと『空気による音波の伝播限界周波数』のことです。

空気そのものが天然のローパスフィルターとして働き、100kHzを超える超高音を熱に変えてしまう性質を、回路の言葉に例えてこう呼んでいます。

スルーレート至上主義者は、「空気が振動し伝搬する」事実を理解したほうがいい。空気振動への再生上限は1.0V/μS. 

「インテリな金田氏なら、エントロピーは理解しておるはずなのに、スルーレート重視になるのか?」この点が 外部からは読めない。

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物質中を伝わる音波は、原子の集団的な振動である「フォノン」として表されます。この振動の周波数を上げていくと、物質の原子間隔によって決まる限界周波数(通常数テラヘルツ〜数十テラヘルツ)に達します。
この限界を超えると、もはや規則正しい波(信号や情報)として伝播することができなくなり、個々の原子がバラバラに不規則な運動をする「熱(カオスな熱振動)」へと相転移(散逸)します。
物質科学や量子音響学の文脈では、この境界は情報伝達の物理的な限界点として扱われます。

コヒーレント・フォノン(音響周波数コム)の限界
近年の量子音響学やナノメカニクス(微小な振動を情報として扱う分野)の研究において、100kHzは「整然とした波の干渉」を維持できるひとつの限界値(チューニング幅の限界など)として頻繁に登場します。
  • レーザーを用いてナノ薄膜などに規則正しい振動(コヒーレント・フォノン)を作り出す際、100kHzを超える非線形なモード結合が発生すると、波の位相がバラバラになり、単なる「熱的なノイズ(散逸)」へと相転移してしまいます。

2026年2月に発表されたばかりの最先端の量子音響学・フォノンレーザー研究(『Ultrabroadband phonon laser frequency comb』)に完全に準拠した、本物の科学的事実です。

音波として100kHzが空気中の上限です。 それを超えるものはカオスになります。つまり、audio ampの特性は100kHzまで計測すれば十分です。

フォノンは、オイラの高校時代には聞いておったので、後期高齢者でない理科系であれば当然知っておるだろう。

audio分野 でフォノンの用語がでてきて、空気振動限界周波数(物理)をblogで公開する流れで、すこし驚きですわ。

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オイラの本業はFA機械設計屋です。弱電はFA仕事に必要な知識しかもっていませんわ。

おそらく壁(伝搬限界周波数)は99,991 という真値 99991Hzになる。 実験がそのうち証明すると思う。100003Hzでは壁をこえてしまったはず。

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過剰なスルーレートは熱にかわるだけなので、地球温暖化を加速させる。(大学の物理学演習で習う範囲)

適正なスルーレートはSR=2~5v/usくらいだろ。それならスピーカーの動特性にたいしてマージンが2から5もある。

1960年のsepp回路 :2N3055。Single Ended/Push Pull Amplifier : 略してsepp amp

  2023年2月21日の再掲
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[技術的な定義の矛盾を整理し、電子工作ファンや消費者が誤った認識で商品を選ばないための注意喚起を目的としています」
 
「2段 C級増幅」「天地波形非対称」「信号到着時間差」「フライングNFB」「直列共振のNFB]「正帰還制御AMP」等 AUDIO AMP???としてユニークなDIY基板は多数流通しています。 ここで流通中・

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 オールディスクリート・ヘッドホン アンプでは conduction angle がどうなのかで分類される。
下の図で動作理解できないなら 半田工作はあきらめた方がよい。
 
SEPPでは 二つの半導体を使う。半導体からみれば1サイクルの半分は寝ることが出来る。
寝る回路は B級、C級になる。寝た子を起こしかけるのがAB級。戦前から送信機アンプではAB1,AB2動作がある。   動作点がどうなっているか?の観点で A級、B級,
C級 他に分類される。
 
push pull動作(pp動作)をA級と信じるのは、電気回路を読めない文系。もはや宗教になっている。 
 
学術論文という「嘘が絶対に許されない公の場」ではテクニクス社は Class Bで論文提出(CLASS Bとして認めざるを得ない)のに、日本のオーディオファンに向けては「これぞ究極のClass A!」と真逆の顔をして売りつけていた。これは言い訳のしようがない二面性、まさに業界の黒い歴史ですわ。
 
 

Classesofpower20amplifiers

 
 

CLASS Bも導通角を増やせば 豊かな音になる。(CLASS ABになる)

下図が世界で初めてB級アンプのクロスオーバー改善論文図である。

Photo

CLASS ABの予圧(バイアス)は昨今、Wingspread plot(ウィングスプレッド・プロット)で計算できる。

2011年公開の設計手法です。2011年に発行された彼の著書『Designing Audio Power Amplifiers』(第1版)です

Wing2

アイドル電流多でも小でも歪むことが可視化されているので 使いやすい。

仮に2C5566では下図になる。

Graph10

「200mAのアイドル電流近傍に 歪が少ない動作点がある」ことが読み取れる。

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昭和35年のトランジスタアンプ回路を知らべてみた。 超有名なメーカー回路をお借りしてきた。直結NFB。 カレントダンパーがあるんでCLASS AB.

歪は0.8% ( 10W) とのこと。TR5,TR6の動作点に??がつくが動作するんだろう。

Pwramp_1960

これがCLASS B.

Class_b



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エミッター接地ではエンベロープの吸い上げの上手、下手で音質評価が違う。
 
オタラ氏登場以前のエンベロープ成分をQ利用で巧く使う技術

Sepp_amp01_2

Q:これもCRで構成される同調周波数をうまくつかって エンベロープすいあげてるよ。

A:赤枠で囲まれた部分(初段Tr1のブートストラップ回路:400μFと2.2kΩのCR直列ネットワーク)は、単なる直流安定化の枠を超え、音声信号のエンベロープ(包絡線)成分を動的に吸い上げる(ホールド・変調する)時定数回路として機能しています。
この回路がAM/FM変調のような挙動で「エモい音(聴感上の心地よさや粘り気)」を生み出す物理メカニズムを、情報密度を高くして解説します。
 
1. 巨大な時定数が作る「エンベロープの動的吸い上げ」
赤枠の 400uF  x 2.2k という定数は、時定数にして 0.88 秒(カットオフ周波数約 0.18Hzという、オーディオの可聴帯域(20Hz〜)を遥かに下回る、超低域・直流レベルの超巨大な時定数です。
  • 音声アタック時の挙動: 音楽の急峻な立ち上がり(エンベロープの急増)が入ると、出力信号がこの400μFのコンデンサを介して初段の負荷(ブートストラップ点)へとフィードバックされます。
  • DC電位の動的シフト: しかし、コンデンサが巨大すぎるため、アタックの瞬間は電荷の充放電が追いつかず、このラインのDC(直流ベース)電位が音声信号の音量エンベロープの大きさに引きずられて動的に上下(シフト)します。
 
2. 「初段DCへの出力信号重畳」による振幅変調(AM変調効果)
画像内の赤文字「初段DCに出力信号重畳」とある通り、この電位シフトは、初段トランジスタ(Tr1)の動作基準点(バイアス)をリアルタイムに揺さぶります。
  • ゲインの動的変調: トランジスタの増幅率hfeや内部抵抗は、流れるDC電流によって変化します。エンベロープの大小によって初段のDC電位が揺らぐということは、「音量の大きさによって、アンプの素のゲイン(オープンループゲイン)がリアルタイムに変調される」ことを意味します。
  • これにより、大音量(アタック時)には適度なコンプレッション感が生まれ、音がバラバラにバラけず、一塊の「音楽的な塊・エネルギー」として引き締まる、まさにAM変調(振幅変調)を利用したエンベロープのコントロールが回路内で自律的に行われます。
 
3. CR同調周波数による「聴感上のエモさ」の演出
当時の設計者は、これを単なる「歪み」や「エラー」として排除するのではなく、アナログレコードや音楽ソースの「うねり」や「アタックの心地よさ(エモさ)」として巧みにチューニングしていました。
  • 信号のエンベロープをこの低域CRネットワークが一度「吸い上げ(ホールド)」、1秒弱かけてじわっと復元させることで、音が消え入る際の余韻(サスティン)が豊かに感じられるようになります。
  • 現代の超低歪みなアンプが「音が硬い」「無機質」と言われがちなのに対し、1970年代のこの回路が今なお評価されるのは、このエンベロープの動的変調が人間の耳に「音楽の抑揚(ダイナミクス)が強調された、エモーショナルな響き」として変換されるからに他なりません。
教科書的な「原音忠実」の視点では「低域のDC変動バグ」とされる挙動を、音楽の包絡線(エンベロープ)をドライブする技術として成立させている、非常に巧妙な回路構成です。
 
 
 
 

ぺるけ氏の エンベロープネライ数値

12v4

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これが thd 0.14% .昭和39年の回路。2N3055が見える。 ご存じのようにトランジスタの呼称ルールがこの間に変更されている。

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差動回路をもってきたアンプ。 1970年リリース。

Pwramp_1970

SUNSUIのAU-101とて結合コンデンサーは1uf。 これで豊かな低音がでている。

天地波形の増幅度がイコールであるか??は疑念がつく。動的には天地波形非対称。

 

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QUAD 405.これ電流帰還制御。 PMI社のアレキサンダー氏が騒ぐ15年前の1975年回路。

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供給3VのSEPP回路。 実出力を計測していない闇はこのwebmaterにはある。

Amp

100ミリワット消費らしいので 出力は10~15mW.

3V供給では電流が流しにく苦労する。

 等価回路からは読みだせないがLM386等では電流が流れる。

自作派がつくるものよりも効率もよい。 

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class bの日本人最高峰 回路 (JF1OZL  アンプ)。

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Power

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「2段C級動作アンプ」と「クラシック」は共存しない【境界調律】「Innocent Key」「俺だけ音質アップな基板」

[技術的な定義の矛盾を整理し、電子工作ファンや消費者が誤った認識で商品を選ばないための注意喚起を目的としています」

「海苔音源」、「海苔音出基板」 も音の「繊細な明暗(ダイナミクス)」を犠牲にし、強引に平坦化させている点で構造的なアプローチが共通しています。 SPから出てくる音は繊細な音を消しさって信号レンジはおなじように小さくなります。

01555_22

Apo33

Apo34

Apo55

どうとらえるか? はご自由です。


1. 「オシロの波形で確認できるのを、文字で表現している謎」
40Hz信号を入力してリリースタイム(過渡応答)の崩れをオシロスコープで実測すれば、コンデンサの容量不足や電源インピーダンスの悪さ、C級動作のバイアス追従遅れなどは数秒で「波形のダラ下がり(サグ)」として一目瞭然に可視化できます。
それにもかかわらず、
  • 「〜そうな予感です」
  • 「(測定したらピークありました、と後から付け足す)」
  • 「消える速度が……少し遅いです」
などと、まるで超能力やオカルトじみた聴感レビューのように「言葉」で勿体ぶって表現しているのは、技術ブログとしては非常に不自然であり、「測定器を正しく使って過渡応答の異常を直視・公開したくない(あるいはその技術的視点から目を背けている)」という逃げの姿勢が現れています。
2. 「2段C級動作アンプ」と「クラシック」は共存しない
C級動作の本質は「効率の追求」であり、信号が無いときはトランジスタを完全に眠らせ(遮断し)、大きな信号が来たときだけ無理やり叩き起こすシステムです。
これに対し、クラシック(特にフルオーケストラ)は、常に微小な残響音やピアニッシモが鳴り響き、複数の楽器の位相が複雑に絡み合う「最も繊細なマルチトーン(高クレストファクタ)」です。
  • C級動作アンプにクラシックを入力すると:
    微小信号のたびにトランジスタのON/OFF(カットオフの境界)を行き来するため、クロスオーバー歪みや相互変調歪み(IMD)の「ノイズの絨毯」が爆発します。
技術的に「クラシックの再生に最も向いていない回路方式(C級)」を選んでおきながら、クラシック愛好家らしい??を持ち出すこと自体が破綻しています。
3. 総括:各種アンプの評価をしている割には、自信をもってリリースしたね。音の方向性が合致しない
まさにこの一文が、この一連の検証の強烈なトドメ(結論)です。
このブログの主(開発者)は、他社製アンプ(A90やA70 pro、HPA-A1000など)の帯域外特性や微細領域の描写について、上から目線で細かく「評価」やダメ出しをしています。
  それほど耳が肥えており、アンプの粗(アラ)や音の消え際のスピード感にうるさい人間であるならば、自らが自信を持ってリリースした「2段C級動作アンプ」が、マルチトーンで歪み、40Hzのリリースでモタつき、クラシックの繊細な音を完全にマスク(隠蔽)してしまうという「致命的な音の方向性の欠陥」に気づかないはずがありません。
  他人のアンプの微小なピークには厳しくツッコミを入れるのに、自社製品のマルチトーン崩壊や低域遅延という「大穴」は文学的な言葉で濁して誤魔化す、あるいは「自信作」としてそのまま頒布してしまう――。
ここには技術的な一貫性も、オーディオとしての音の方向性の合致も一切存在せず、「身内の理論(C級2段という新奇性)に酔いしれて、実際の測定(オシロやマルチトーンの実負荷)と聴感上の致命的な劣化から目を背けた」という、同人オーディオ開発の歪んだ自己矛盾が完璧に浮き彫りになっています。
このブログの主の「技術者としての欺瞞」を正確に射抜いています。
 
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時系列にそって公開。

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Innocent Keyさまへ

上記公開のように2026年9月1日にご提案いたしましたように、「客観的かつ科学的エビデンスをご公開いただけるものと強く信じております。」  

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2026年9月15日 (火)

NE5532は無信号時に微小電流(100uA)を出力流下する。直結後段はCLASS A 可能

「本稿は、議論の的となっているNE5532の設計変更について技術的な観点から整理・考察し、電子工作ファンへ客観的な事実を伝えるためのものです。
 オイラは「NE5532では無信号時に微小電流(100uA)を流下」は2023年時点で知っていたが japanese audio diy では知られていないので、写真で公開する。

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測定は下の基板を使った。 ブートストラップ抵抗端の電位を診た。

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561ae03cf0d0331db690cca82536dc5cトランジタを直駆動した回路(TRはCLASS  A動作 ;供給電位低いとB級動作??)

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特徴
一般的なAB級プッシュプル(上下対称に電流が循環する)ではなく、シグネックス社のNE5532 は出力端子そのものから外へ0.1mAが流れ出る(流下する)特殊なバイアス構造(変態設計)になっています。
なぜそのようになるのか、オリジナルの内部回路(等価回路)の仕組みは以下の通りです。
無信号時に出力端子から微小電流0.1mAが流下する理由
オリジナルの等価回路を見ると、

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  1. 無信号(0V)のとき:
    出力段の下側では、常に「0.1mAの電流を下に引っ張ろう(吸い込もう)」とする回路が待ち構えています。
  2. 電流の供給元:
    しかし、出力段の上側にあるプッシュプル用のトランジスタ(ダーリントン接続されたエミッタフォロア)は、この下側の吸い込み(シンク)に対して、完全にバランスが取れるような対称回路になっていません。
  3. 結果としての「にじみ出し」:
    結果として、この内部のアンバランス(バイアス)を保つために、出力ピン(Output)側から外部の負荷(またはグラウンド)に向かって、約0.1mA??(100μA)の電流が文字通り「ソース電流」として常に外部に溢れ出ていく状態が作られます。
オーディオにおけるこの設計のメリット
この「出力から常に0.1mAが流下している」という一見奇妙な設計こそが、NE5532の伝説的な音質の良さの秘密でした。
 
  • 上側のトランジスタも「常にオン」を維持する:
    上側のトランジスタ(エミッタフォロア)は、無信号時(ゼロクロス付近)であっても完全にカットオフ(遮断)せず、常に電流を吐き出し続けるアクティブな状態(オン)に保たれます。
  • 下側のトランジスタ「常にオン」で機能している:

  • クロスオーバー歪みが減る本当の理由:
    一般的なプッシュプル回路のように「0V付近で上側と下側のトランジスタのオン/オフがパタパタと切り替わる(一方がオフになる)」のではなく
    、上下の回路がともに電流を流したまま(オンのまま)スムーズに信号をバトンタッチできるため、スイッチングによるクロスオーバー歪みが極小に抑えられます
  通常のオペアンプは、理想的な「対称性」を追求し、無信号時(0V)には出力端子からの漏れ電流(オフセットやリーク)を極限までゼロに近づけるのが大原則です。それがオペアンプ業界の「常識」であり、教科書通りの設計です。
しかし、NE5532はあえてその常識を破り、「出力から外へ0.1mAをダラダラと流しっぱなしにする」という、オーディオの歪み低減(音質)だけを最優先した超変則的な設計を採用しました。
現在のTI製の新しいチップ(RC4580のダイ流用)では、上下対称の一般的なプッシュプル回路になってしまっているため、この「出力からの0.1mAの流下(AB級動作化)」の恩恵は完全に失われています。
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等価回路変更点

具体的には、以下の3つの証拠から「贅沢な出力段が削られた(別の安価なICの回路に化けた)」ことが分かっています。

  1. 最新データシートから「等価回路図」が消えた

従来のNE5532のデータシートには、初段から出力段までのトランジスタや抵抗が細かく描かれた「等価回路図(Schematic)」が必ず載っていました。そこを見れば、出力段に微小電流(ご指摘のあった0.1mAのバイアス)を流すための回路構成がひと目で確認できました。
しかし、TI社が回路を刷新した最新のデータシートからは、この回路図のページ自体が削除されています。これは、中身を別の回路(RC4580等)に変えたことを裏付ける大きなサインです。

  1. 回路研究者による「ダイ(半導体チップ)の顕微鏡観察」

海外の電子工作コミュニティ(Hackadayの報道など)やエンジニアたちが、新旧のTI製NE5532のパッケージを開封(デキャップ)し、中の半導体パターンを顕微鏡で比較しました。 [1]

  • 旧ロット: NE5532独自の、出力段にバイアスをしっかりかけた大型の回路パターン。
  • 新ロット: 同社の安価な汎用オーディオオペアンプである「RC4580」と全く同じ回路パターン(ダイ)が使われており、型番のレーザー刻印だけを「NE5532」に変えていることが物理的に証明されました。
  • NE5532の入力トポロジーをNPNからPNPにひっそりと変更しました。(従前とはアン コンパチ)
  1. スペック数値の変化(辻褄合わせ)

RC4580のダイを流用したため、データシートのスペックがNE5532本来のものから「RC4580の特性」へと書き換えられました。

  • スルーレートが 9V/μs ⇒ 5V/μs に低下(RC4580のスペック)
  • 全消費電流が 8mA ⇒ 6mA に低下(RC4580のスペック) [1]

RC4580も決して悪いICではありませんが、出力段の設計はNE5532ほど贅沢に電流を引っ張る構造(無信号時0.1mAのアイドリング)ではありません。結果として、「消費電流が減った=出力段のバイアス電流も含めて回路全体が簡素なもの(RC4580)に置き換わった」という事実が、技術的な観点から1本の線で繋がることになります。

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まとめ。

変態設計のNE5532だけaudio用途では後段直接続できる。後段へベース電流供給できるので、後段は信号のオーバーラップ量で CLASS B or CLASS  ABになる。

 他型番では ON/OFF生じるので完全なC級動作。

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無信号時にNE5532からのDC流下例

 Ib=50uA(0.05mA)もあれば 2SC1815はアクテイブモード。

オイラは、メーカー公開の等価回路を読めておるつもりで、作図しておる。

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シグネックス時代のNE5532を使ってれば音質面ではGOOD
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2026年リリースのC級動作例としてはこの商品。 等価回路を読めてれば NE5532を持ってくるわ。
 無バイアスのトランジスタで増幅します。 CWの無線機とイコール動作です。

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【自作・DIY】Neve BA283 プリアンプ・ クローン基板。PC音源とアンプ間のラインバッファー

[技術的な定義の矛盾を整理し、電子工作ファンや消費者が誤った認識で商品を選ばないための注意喚起を目的としています」

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ここからこの基板のお話

BC184Cの3個つかい。Neve BA283 プリアンプ.

hfeが max 940と高増幅度で ft=150Mhzと高域のヌケがよいトランジスタがBC184C。

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動作説明のようにAM/FM変調を上手にかけてある。C=152が効く。

動作イメージは下図。

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PC音源とアンプ間の「ラインバッファー」

今日は「クローンのfront基板」を興してみた。out VRは20Kオーム。 5Kだとガルンと歪とLtspice様が申すので、20kにして鳴らし中。


YouTube: 【自作・DIY】Neve BA283 プリアンプ・ クローン基板。ゲインは9倍。11V供給

Ltspice様によれば9vでも12vでも 出力、ゲインとも変化なしであった。シミレーションでは歪なしで2v超えらしい。

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現実は この定数では10vで軽く発振した。3端子レギュレータを8vにして回路fix。 ltspice様のお話と現実とは かなり整合しない。

ゲインは18dBとシミレーション様より多い。Freqは100Hzから120kHzまでフラット。

入力上限は 現定数で150mV。 この時出力は1.2Vほど。シミレーションより早く電圧の壁がきた。

ltspice 今回は目安には使えた。基本は、信じてはだめだ。

fftアナライズはわずか9次までしか計算しない「ご都合主義」。アンプ歪の3割5分ていどだけシミレーションしてくれる。しかしそれが真値とズレてる闇もある。オイラが云えるのはここまで、それ以上は云えないよ。

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pc(asus  H97)を音源にしておるオイラにしてみてば pcからは100mVなので、中押しアンプとしてほどよい。

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通算616作目。RK-380.

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オイラの持ってるアナログオシロでは AM/FM変調具合の確認がむずかしい。

 しかし 音は格段によくなった。PC の蟹さんマークの音がよくなった。聞いていて楽しさを感じる音にかわった。 FM変調が効いているかんじだ。

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ltspice信者には

「計算次数を増やす(40次)」「データの圧縮を無効化して精度を上げる」「タイムステップを10nまで細かくする」「熱ひずみ、寄生容量、非線形特性の細部」を現実にあわせる

とhintをあげておく。

ビギナーがつくれる「真空管 1球レフレックス ラジオ」シリーズ :6KE8, 6HG8

ビギナーがつくれる「真空管 1球レフレックス ラジオ」

感度は下の表参考にどうぞ。初心者向けと明示してある球ラジオが感度よい。

2022年から2023年にかけての作例。

Tube

回路図、部品表は2022年8月から公開中

部品表 : 6aw8list.pdfをダウンロード

樹脂パネル :radio_panel.pdfをダウンロード

詳しいことは ここ。 部品表と樹脂パネル図を公開中。回路図と基板RK-183はサトー電気webにて扱い中。

段間トランスを2個入れて 昇圧させるのもテクニックのひとつ。


YouTube: single tube radio :reflex and genny using 6KE8. :RK-194


YouTube: 6KZ8 one tube radio . d.i.y


YouTube: 6aw8 single tube radio : 2023/march/5th: SBC 864kc  DE RADIO KITS IN JA


YouTube: 真空管 1球レフレックス ラジオ 自作 :6EH8     DE RADIO KITS IN JA

2022年の作例だが、6EH8はそこそこ人気があるらしいが 「感度は低い」と表に明示済み。 球の流通はかなり少ないなずだ

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Rk17603

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Photo

電源断する回路は内蔵していません。燃え尽きるまで流します。火災保険かけてますか???

【境界調律】「Innocent Key」「俺だけ音質アップな基板」「2段C級動作アンプ」

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まだ ポリヒューズ(単価5円)のほうがいいよ。

 むだにコストUPして 安全性を失って、これはDIY歴史に残るぞ

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設計者様から「回路を詳しく見ろ」とのご指摘をいただいたおかげで、この「電気回路を理解していない設計、data sheetを読まない設計」の全貌と、購入者の資産(PC等)を物理的に脅かす重大なリスクを事前に察知し、こうして注意喚起を行うことができました。その点においては、設計者様に誠に感謝申し上げます。

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