zep社 A級無帰還ディスクリートヘッドホンアンプ HPA-1000の放熱性と class A
大学で熱力学を学んでれば、 加熱相乗効果がおきるレイアウトにはしない。
【実物資産】実機基板パターンが証明する、隙間2.5mmの熱破綻と「B級動作縛り」の物理証拠
メーカーが販売している実機基板のパターン・レイアウトを確認すると、「純A級アンプ」という大看板が、ハードウェアの物理構造レベルで完全に拒絶され、自己破綻している写真が白日の下に晒されます。
① 隙間わずか2.5mm！狂気のトランジスタ高密度密集（Q16〜Q19、Q20〜Q23）
採用されている東芝製トランジスタ（TO-126パッケージ）の横幅はデータシート上で正確に 10.0 mm です。これを隣同士のセンター間隔わずか 12.5 mm で配置しているため、トランジスタとトランジスタの「実際の隙間」はたったの 2.25 mm（2.25ミリ） しかありません。
これほど密着させると周囲の空気による自然対流（冷却）は完全にストップし、4個の素子がお互いをダイレクトに加熱し合うため、局所的な熱飽和（オーバーヒート）を引き起こして一瞬で150℃の限界を突破。ハンダを溶かしながら一斉に熱暴走・即時発煙する可能性を内包した構造です。
② 設置された「Bias Adj. (VR1)」と「テストピンA・B」
写真中央の青い半固定抵抗（VR1）と、その横のテストピン（A、B）。隙間2mmという致命的な熱密集構造にしてしまったからこそ、製作マニュアルの指定通り、ここでエミッタ抵抗（白いセメント抵抗）の両端電圧を 5mV〜10mV（22mA〜45mA）の極小電流に絞り込んで調整させる以外にアンプを生き残らせる道がありません。 熱でアンプが燃えないように電流を極限まで絞らざるを得ず、その結果、22mAでは同時導通角がほぼ0度（クロスオーバー歪みが発生する純B級動作）へとハードウェア的に強制ロックされます。45mA流すと熱暴走モードにはいる可能性大（45mA連続通電200時間試してください）
③ 基板中央に刻まれた「no-NFB output stage」の虚偽シルク
基板上に堂々と印刷された「無帰還出力段」の文字。回路のトポロジーはLM386と同じ負帰還アンプであるにもかかわらず、基板の見た目まで使って「無帰還」を偽装しているこのシルク印刷こそが、景品表示法上の優良誤認（誇大広告）を示しています。
「幅10mmのパワー素子を、隙間2.5mmで4つ密集させて並べる」という基板設計は、放熱知識のない文系レベルの配置バグです。アンプにA級のアイドリング電流を流せば自ら熱でメルトダウンする構造であるからこそ、電流を20mA〜45mAに絞って同時導通角がほぼ0度の純B級アンプとして動かすしかないのです。この現実を無視した「全域で純A級」という表現は、電子工学の数理からも熱力学の現実からも、完全に一線を越えた表示です。
終段のエネルギー変換効率は ぺるけ氏でも0.10から0.15。1200mW出す机上電流は総電流250mA 40V (10W)でも、現実には変換効率の逆数が掛るので余計に流す。 充分に熱暴走できるエネルギー供給量になる。
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