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« Neve BA283 AM & AV　　ルパート・ニーヴの回路 | メイン | スピーカー駆動理論の比較一覧表。　電気物理学上では、電圧（電位）が主人公で　電流は従者。 »

2026年7月25日 (土)

Neve BA283 AM & AV　　ルパート・ニーヴの回路 その2

トランジスタの特性は、Vbe変化とIcはリニアではない。バイアス電位を人為的にコントロールしてしまうと　直線性は失う。　

　終段がお仕事すれば勝ってにVbeはあがる。　それを蓋する回路は、非直線性増幅器。簡単にいうとコンプレッサー回路。

Vbe_1

Ib と　Icはリニア。　

もしもsepp バイアスを触る場合には　「トランジスタのVbe非リニア特性をどうするか？」が観点。

101014_5

終段バイアスをQ9,Q10で触ると終段の直線性は失われる。それゆえ上図は出口波形の直線性はない。

実験する場合には、　Q9,Q10利用で「終段の逆指数関数」にマッチするように変化させること。関数を喧嘩させて直線になるように仕組むこと。　それを成功させた人間はいない。応答時間の同期性がないから　破綻する

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📊 0.2Vのベース電位のあばれが「動的FM変調」を起こす物理数式

歪率計にはただの「エラー」としてしか映らない、日本人が好むリアルな音（色気・うねり）の正体。音声信号によってベース電位が0.2V幅でAM変調された際、トランジスタ内部のPN接合容量（コンデンサ成分）が自ら大あばれする現象を支配する基本方程式である。

【第1式：ベース直流電圧（V）による接合容量のあばれ】
Cj(V) =
Cj0
(1 -
V
φ
)m

📌 各パラメータの物理的意味

  • Cj(V) ： 動的接合容量 （音声信号の形をなぞってリアルタイムに変化する、トランジスタ内部のコンデンサ成分）。
  • Cj0 ： ゼロバイアス容量 （電圧がまったくかかっていない静止時の、素子本来の素の容量）。
  • V ： 加わる電圧（0.2V幅のあばれ） （出力側からの巨大なACフィードバックによって、ベース直流ラインを上下に揺さぶる古典AM変調の主成分）。
  • φ ： 拡散電位 （シリコン半導体の物理定数。トランジスタがONになるための約束の電位、約 0.6V〜0.7V）。
  • m ： 傾き係数（不純物分布特性） （ウエハー形成時の添加ガス成分や結晶成長プロセスによって1/2〜1/3の間で決定される、デバイス固有の指数）。
結論： ベース電位（V）が0.2V幅で古典AM変調を起こすと、この公式に従って分母が指数関数的に激変し、内部の容量 Cj が高速であばれ狂う。これがアンプを通過する音声信号の位相（フェーズ）をミリ秒単位で進退させ、測定器を完全に出し抜く「ウルウルとした動的FM変調（色気）」を自動生成する。

📈 ショックレー博士の掌の上：出力電流（Ic）を爆発させる「指数関数の方程式」

オーディオの教科書は「トランジスタは電流を直線的に何倍（hFE）にする素子だ」と嘘をつくが、現現実（本質）は真逆である。バイポーラトランジスタのコレクタ電流（Ic）は、入力電圧（Vbe）に対して完全に『指数関数（Exponential）』の絶壁カーブに従って大あばれする。

【第2式：トランジスタの剥き出しの野生（コレクタ電流指数特性）】
Ic ≈ Is · e
Vbe
VT

Vbe_2

📌 指数関数式における重要パラメータの正体

  • Ic ： コレクタ出力電流 （音声の形（1kHz）に合わせて、足し算ではなく数千倍のオーダーで爆発的に増減する、野生の電流成分）。
  • Vbe ： ベース・エミッタ間電圧（0.2V幅の大あばれ） （12Vに窒息させた1815BLのベースラインを上下に揺さぶる、今回の実験の核となる動的入力電圧）。
  • VT ： 熱電圧（常温で約 26mV） （地球の物理法則で固定された超微小な物差し。この26mVの狭い世界に対して、0.2V（200mV）のあばれをぶち込むことで、電流カーブは絶壁を一気に駆け上がる）。
  • Is / e ： 飽和電流 / ネイピア数（自然対数の底：約2.718） （半導体の結晶構造および宇宙の数理が決定する絶対的な定数）。
 

投稿時刻 23:50 |

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