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2026年10月29日 (木)

Peter Blomley :「CLASS Bの 電圧増幅段にdiode 順方向電位を利用」

[技術的な定義の矛盾を整理し、電子工作ファンや消費者が誤った認識で商品を選ばないための注意喚起を目的としています」

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CLASS Bの 電圧増幅段にdiode 順方向電位を利用したのは、Peter Blomley。

Peter_blomley_2

  • Blomleyアンプでは、上下のダイオードが常に互いの電位をショックレーの方程式のカーブ内で牽制し合っているため、信号がどれだけ大きく振れても、休止側のダイオードの電流は「極めて小さくはなるが、滑らかな裾野(指数関数のテール)を描いて、常に流れたまま(非遮断)」になります。
このダイオードの動的特性によって生み出された「遮断しない(極小電流が維持された)上下の電流信号」が、そのまま出力段のトランジスタ(後続の電流ミラー等)に受け継がれるため、出力段もまたショックレーの方程式の動的カーブに支配され、完全にスイッチング(ON/OFF)することなく、極めて滑らかなCLASS AB動作(ノン・スイッチング)を実現します。

peter_blomley1.pdfをダウンロード

peter_blomley2.pdfをダウンロード

「バットウイング曲線(Batwing curves)をAI君(2026年 モデル)にかかせるとAMP回路バイアスの良し悪しがかなり判る時代になった。

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2sc18154 Vbeは 動的特性なので、定電流化はやらない。電流を縛るとショックレー方程式へ反旗を翻すことになる。

Semicon19b

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「バットウイング曲線(Batwing curves)を書ける?  OP AMP後段は無バイアス。Q101で電流しばりあるけど書ける??」 とAI君にきいてみてね。

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オイラが AI君にきいたら上の特性になったよ。ここ。

提示回路における各領域の動作メカニズム
ご提示の回路図に基づくと、この独特なコウモリの羽(Batwing)の形状は以下の3つのフェーズによって決定されます。
  1. 中央のスパイク:クロスオーバー歪み補正領域(0V付近)
    後段のトランジスタ(Q103/Q104、および出力段のQ105〜Q108)は無バイアス(B級)のため、ベース・エミッタ間電圧Vbe分のデッドバンドが存在します。出力電圧が0Vをまたぐ瞬間、トランジスタがすべてOFFになります。この時、オペアンプは負帰還のループを維持しようと出力を猛烈なスルーレートでスイングさせ、内部分析の容量や抵抗(R104, R105等)を直接ドライブしようとするため、0V付近でオペアンプの出力電流が局所的に跳ね上がります(中央の山)。


この無バイアス回路特有のクロスオーバー・スパイクを軽減するために、バイアス電流をわずかに流して(アイドリング電流を与えて)AB級動作に変化させた場合の特性変化もシミュレーション可能です。

Inoo2666

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1970年8月号のバイアス回路は可変抵抗式

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大パワーだとVbe合算値が大きくてdiodeを直列に4個ほど吊るす必要があった。

VbeにTRを使うのは1985年頃の技術。刊行本としては1991年

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