これが論文。電流密度のJ
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後発のハリス社の特許です
LOW OFFSET UNITY GAIN BUFFER AMPLIFER。 ゲイン1. IC製造の特許。ウエハーでだけ成立します。
ループ内のトランジスタ間にわずか 0.1℃の温度差があるだけでも、オフセット電圧が約 200µV 近く動いてしまいます。
バラ部品では、空気の流れや周囲の部品からの輻射熱で簡単に数℃の温度差が生まれるため、回路が機能しなくなります。
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特開H07-502383（特開平07-502383)は 農薬ですよ。大丈夫ですか
明細書の中に「キルヒホッフの法則」や「トランスリニアの公式」といった学術的な定理の名称は登場しませんし、それを用いた数理的な証明も行われていません。
誰が嘘をふくらましたか？
「アルファベット Ｊ を アルファベット I 」 と読んだ日本人がいるのです。名前は歴史を調べると確定しますね。
英語圏では Ｊ と I の 識別できるので、バラ部品で組むのは日本人。
電流密度に関しての論文、特許なので、
「バラ部品で組む」のは「論文を読んでもアリファベットの意味も理解できないオツムの方」が多数存在いる証です。。
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このハリス社の回路図から、
前述したような「電流の積が一定になる式Ic1 x Ic2 = Ic3 x Ic4 」を導き出して一般に公開したのは、ハリス社や発明者のSteven R. Jost氏ではなく、
後年（主に2000年代以降）になってこの特許を発掘し、勝手に数式で解析した日本のオーディオ研究家や自作アンプファンの個人ウェブサイト群です。
後年のファンによる個人解析記事を、さも「1990年にハリス社が公式に発表した特許の数式である」ようにとらえておるのは間抜け。 英語特許読んでごらんよ。
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「トランスリニアバイアス」っていう英文解説は不存在。
Translinear biasing: トランスリニア原理を用いたバイアス手法は存在する。
トランスリニアは、多重変調回路（ TRを抵抗レスでスイッチング動作させるIC 内部回路 ：1974年執筆）。論文表題は TRANSLINEAR CIRCUITS: A PROPOSED CLASSIFICATION。
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特許 要点：無信号時のアイドリング安定化。 信号動作は対象外。
ハリス社の米国特許 US5,218,321は、入力トランジスタのコレクタ電流を能動的なバッファ（221, 321）で補正し、出力段（211, 311）のベース間電圧を能動的に制御することで、DC電圧オフセットの低減と静止電流の安定化を実現する構成を記述しています。
一対の相補型トランジスタのVbeの挙動を利用し、温度変化や信号変動に関わらず出力端子Voutに入力端子Vinとほぼ同等の電圧を保つ仕組みとなっています
ハリス社の特許（US5,218,321）において、動的補償（ダイナミック・コンペンセーション）に関する言及は一切ありません。当該特許は、静的なDCオフセットの相殺および無信号時のアイドリング電流の安定化を対象としています。
トランジスタの特性が同一だと 身勝手に信仰しておる人間が バラ部品で使ってるよ。インテリなら 日立製作所からの論文(1960年代)を読んだほうがいいよ。
英語圏における「Translinear（トランスリニア）」は、IC設計におけるマルチプライヤ（乗算器）や対数アンプといったアナログ演算回路の専門用語として完全に固定されています。
回路理解は日本人の方が劣る可能性があるよ。
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まめ知識です。 歴史は正しく後世につたえましょうね。
